Оснащений інтерфейсом PCI Express Gen3 x4 з підтримкою стандарту NVMe, твердотільний накопичувач у форм-факторі M. 2 Transcend MTE820 демонструє видатну продуктивність.

Твердотільний накопичувач MTE820 призначений для оснащення високопродуктивних систем, що використовуються для завдань, які вимагають максимального рівня готовності і не допускають жодних затримок — робочих станцій для обробки аудіо та відео, ігрових ПК, а також корпоративних рішень.

Побудовані на базі флеш-пам'яті 3D TLC NAND, твердотільні накопичувачі MTE820 M. 2 не тільки забезпечують високу швидкість передачі даних, але також демонструють високий рівень надійності.

Твердотільні накопичувачі Transcend MTE820 виконані у форм-факторі M. 2, оснащені інтерфейсом PCIe Gen3 x4 і відповідають всім вимогам стандарту NVMe 1.2 і для одночасної передачі і прийому даних використовуються чотири лінії, що сумарно забезпечує пропускну здатність до 1370 МБ/с при читанні і 830 МБ/с при записі.

Інтерфейс PCIe (або PCI Express) використовується для з'єднання хост-комп'ютера з твердотільними накопичувачами. Даний інтерфейс використовує одну або більше ліній, по кожній з яких здійснюються передача і прийом даних, і відрізняється від SATA (або Serial ATA) значно більш високою продуктивністю, що дозволяє йому в найкращій мірі відповідати вимогам сучасних високошвидкісних систем і пристроїв.

NVMe (або NVM Express) — це інтерфейс хост-контроллера, створений для використання в корпоративних і клієнтських системах, які оснащені твердотільними накопичувачами з інтерфейсом PCI Express. Стандарт NVMe передбачає більш високий рівень продуктивності, ніж AHCI (Advanced Host Controller Interface), в тому числі, він містить вимоги щодо масштабування пропускної здатності, більшої кількості операцій введення/виводу в секунду і мінімізації затримок.

На відміну від попередніх, плоских по своїй структурі мікросхем NAND, комірки флеш-чіпів 3D NAND розташовуються в декількох площинах і можуть знаходитися одна над іншою. Технологія 3D NAND покликана подолати існуючі обмеження щільності розміщення осередків флеш-пам'яті, а також підвищити рівень продуктивності і довговічності цього типу пам'яті.